隨著人工智能(AI)技術的快速發展,高帶寬存儲器(High Bandwidth Memory,簡稱HBM)成為推動現代計算系統性能提升的核心組件。然而,伴隨全球科技競爭的加劇,美國于2024年12月2日正式推出了針對HBM的出口管制新規,通過技術參數門檻和嚴苛的出口許可要求,對包括中國在內的特定國家和地區實施限制。本文旨在解析新規的核心內容及其影響,同時為受影響的企業提供應對建議。
HBM是一種專為高性能計算和數據密集型應用設計的先進存儲技術,廣泛應用于GPU、TPU及其他專用AI加速器中。通過3D堆疊技術和硅通孔(TSV)工藝,HBM實現了高密度集成和高速數據傳輸,是滿足AI訓練和推理需求的關鍵存儲方案。
近年來,HBM技術經歷了從HBM1到HBM3E的快速迭代,市場份額主要由三星電子、SK海力士和美光科技三大廠商主導。SK海力士以53%的市場份額占據領先地位,而三星和美光分別占據38%和9%的市場份額。
新規通過美國《出口管制條例》(EAR)的技術分類,特別是在ECCN 3A090.c項下新增嚴格的技術閾值,將內存帶寬密度高于2 GB/s/mm2的HBM納入嚴管范圍。新規強調獨立HBM堆棧的受控屬性,但若HBM已與邏輯芯片封裝為一體,則按其他條款處理。這種設計對技術性能的直接限制,確保了美國對關鍵技術的精準掌控。
新規覆蓋所有涉及對中國及其他D:5組國家出口、再出口或境內轉移HBM的企業,包括主要的HBM生產商如三星、SK海力士和美光。此外,凡使用美國技術、設備或軟件生產的HBM產品,無論產地如何,均需遵守這一規定。
新規于2024年12月2日生效,并設置了至2024年12月31日的合規緩沖期。在此期間,相關企業需完成技術分類、許可證申請和供應鏈調整,以實現全面合規。
新規適用于全球HBM供應鏈。通過外國直接產品規則(FDPR),美國可對基于其技術生產的HBM產品實施域外管轄。無論HBM產地在哪,只要使用了美國技術或設備,均需遵守新規。
新規旨在遏制特定國家獲取先進HBM技術,從而延緩其在AI和高性能計算(HPC)領域的技術進步。這是美國確保其技術優勢和國家安全的核心手段。
美國通過技術參數管控、許可證申請、供應鏈監控等手段執行新規,同時為部分符合條件的企業設置“許可例外”,允許其在特定條件下繼續運營。
新規將顯著影響全球HBM供應鏈的穩定性。韓國企業(SK海力士、三星)作為主要供應商,將面臨出口許可的額外審查壓力,而美光可能憑借更高的政策契合度在全球市場獲得競爭優勢。
中國企業在短期內可能面臨供應中斷和成本增加的風險。在AI和HPC項目中,對HBM的依賴可能導致技術規劃受限,進而延緩系統迭代。
新規通過精確的技術閾值和雙重管控策略,阻斷了目標國家輕松獲取高性能HBM的路徑,同時促使企業優化供應鏈管理,提升自身的技術能力。
美國HBM出口管制新規不僅是一次技術層面的限制,更是一次全球科技競爭的博弈。面對新規的挑戰,中國企業需要采取綜合策略,既要應對短期的供應鏈壓力,也要在長期內實現技術突破和產業鏈重構。
未來,高性能存儲器的技術競爭將進一步加劇,而HBM作為AI和HPC的核心部件,其發展方向和市場格局將深刻影響全球科技生態。企業唯有保持敏銳的市場嗅覺和堅實的技術基礎,才能在復雜的國際環境中立于不敗之地。
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